TPS259231DRCR TI/德州儀器 22+ VSON10
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TPS259231DRCR-TI/德州儀器-22+-VSON10

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商品參數(shù)
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商品介紹
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型號(hào) TPS259231DRCR
品牌 TI/德州儀器
封裝 VSON10
數(shù)量 2000
批號(hào) 22+
商品介紹
■產(chǎn)品名稱(chēng):TPS259231DRCR

■功能名稱(chēng):具有用于外部阻斷 FET 的驅(qū)動(dòng)器的 4.5V 至 5.5V、28mΩ、1A 至 5A 電子保險(xiǎn)絲

■概要:
TPS25923x 系列電子熔絲是采用小型封裝的高度集成電路保護(hù)和電源管理解決方案。 該器件使用極少的外部組件并可提供多重保護(hù)模式。 它們能夠有效地防止過(guò)載、短路、電壓浪涌、過(guò)高浪涌電流和反向電流。

電流限制級(jí)別可通過(guò)一個(gè)外部電阻設(shè)定。 內(nèi)部鉗位電路可將過(guò)電壓限制在一個(gè)安全的固定最大值,無(wú)需使用外部組件。 具有特殊電壓斜坡要求的應(yīng)用可以使用單個(gè)電容來(lái)設(shè)定 dV/dT,以確保達(dá)到適當(dāng)?shù)妮敵鲂逼滤俾省?/span>

許多系統(tǒng)(例如 SSD)禁止將儲(chǔ)存的電容能量通過(guò) FET 二極管倒流到降壓或短路輸入總線。 BFET 引腳專(zhuān)用于這類(lèi)系統(tǒng)。 外部 NFET 可與 TPS25923x 輸出形成“背靠背 (B2B)”連接,而由 BFET 驅(qū)動(dòng)的柵極可防止電流從負(fù)載流回電源。

■特征:
●5V 電子熔絲,VABSMAX = 20V
●集成 28m? 導(dǎo)通金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)
●6.1V 固定過(guò)壓鉗位
●1A 至 5A 可調(diào)電流 ILIMIT
●±8% ILIMIT 精度(3.7A 時(shí))
●支持反向電流阻斷
●可編程 OUT(輸出)轉(zhuǎn)換率,欠壓閉鎖 (UVLO)
●內(nèi)置熱關(guān)斷
●UL2367 認(rèn)證正在處理中
●單點(diǎn)故障測(cè)試期間安全 (UL60950)
●小型封裝尺寸 - 10L (3mm x 3mm) 超薄小外形尺寸無(wú)引線封裝 (VSON)


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公司名稱(chēng) 深圳市福田區(qū)新梅峰電子商行
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