4英寸耗盡型硅基氮化鎵外延片生產(chǎn) D-HEMT

恒邁瑞生長(zhǎng)供應(yīng)D-mode耗盡型硅基氮化鎵外延片GaN-on-Si， 硅基襯底厚度675um或1000um，除4英寸外，2英寸6英寸8英寸均可供應(yīng)。

氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體核心材料之一，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性，是制作寬波譜、高功率、高效率光電子、電力電子和微電子的理想材料。相對(duì)于常規(guī)半導(dǎo)體材料,GaN單晶的生長(zhǎng)進(jìn)展緩慢,晶體尺寸小且成本高,當(dāng)前的GaN基器件主要基于異質(zhì)襯底(硅、碳化硅、藍(lán)寶石等)制作而成,使得GaN單晶襯底及同質(zhì)外延器件的發(fā)展落后于基于異質(zhì)外延器件的應(yīng)用。